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日前，西安交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院先進(jìn)陶瓷研究所博士生戴培赟在楊建鋒教授指導(dǎo)下用物理氣相傳輸法成功制備出多晶致密碳化硅陶瓷材料，首次在不需添加燒結(jié)助劑的條件下獲得了接近理論密度的純碳化硅塊體陶瓷材料，標(biāo)志著西安交大在陶瓷研究方面獲得重要進(jìn)展。

物理氣相傳輸法（HTPVT）是制備單晶碳化硅的常用方法，在材料學(xué)院碳化硅單晶材料研究的基礎(chǔ)上，戴培赟在研究工作中進(jìn)行了不同原料密度和燒結(jié)工藝的對比試驗(yàn)，建立了碳化硅多晶陶瓷的生長模型，并從熱力學(xué)和動力學(xué)角度解釋了碳化硅多晶生長的原理。此方法完全不同于現(xiàn)有的碳化硅陶瓷的制備工藝，獲得的材料具有優(yōu)異的性能，在軍工、電子、機(jī)械等行業(yè)具有良好的應(yīng)用前景，此技術(shù)已申請國家發(fā)明專利。